ESP32 Forum

目前手上有 esp32-s2-saola-1R 开发板(ESP32-S2-WROVER模组：带3.3V的flash)

由于目标器件的io电平为1.8v，需要esp32s2启动后，将VDD_SDIO的电压从3.3v改变为1.8v，是否可行？

方案一： 直接拉高GPIO45，启动时生效，导致flash无法正常加载程序
方案二： 烧写efuse寄存器，是否也是启动时生效？
方案三： app_main()中 设置 RTC_CNTL_SDIO_TIEH ，参考 https://www.esp32.com/viewtopic.php?t=2976#p14038 ，但是运行到设置RTC_CNTL_SDIO_TIEH寄存器时， 芯片会从reboot，再次加载flash异常。
方案四： 放弃flash，同方案一， 使用elf ？ 不能使用 idf.py 来烧录，只能用jtag ？

采用方案4：

1. build type选择为 ELF_RAM：
2. 把编译生成的elf转换为bin： esptool.py --chip esp32s2 elf2image *.elf
3. 直接下载到RAM并运行： esptool.py --no-stub load_ram *.bin

如果想要持久化到flash：

1. 先生成partition-table.bin： idf.py partition_table
2. 把partition-table.bin和*.bin烧录到flash： esptool.py --chip esp32s2 -p /dev/ttyUSB0 -b 460800 --before=default_reset --after=hard_reset write_flash --flash_mode dio --flash_freq 80m --flash_size 2MB 0x8000 build/partition_table/partition-table.bin 0x10000 build/*.bin


还有个疑问：

1. 同样的代码，idf默认的flash二级引导，app_main()函数中重新设置VDD_SDIO的电压，运行后为何会报错？？？