在使用Wear_levelling接口对 flash 进行读写的速度疑问？

[TerryTao1126]

使用的是 ESP32-S3-DevKitC-1 开发套件 在esp-idf 5.2.1版本下
分别使用Wear_levelling 与直接使用先esp_partition_erase_range擦除，后esp_partition_write的方式将大小10KB浮点数组数据写入Flash分区中。
磨损均衡接口采用官方样例程序，加上esp_timer计算用时。
为什么写入用时差距很大，多次实验取平均值，用时差距依然很大，使用磨损均衡接口进行读写分别需要 4371 us 和 497200 us，而直接进行连续存储的读写操作则分别仅需1306 us和15607 us，请问是因为挂载文件系统的原因吗？有什么办法可以使得磨损均衡的读写更快，因为项目需要较短的耗时。