ESP32模组内部VDD_SDIO大小选择

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我需要使用emmc功能，所以GPIO12会上拉，因此会espefuse 设置VDD_SDIO电压。那么ESP32模组的话，内部的flash和psram电压要求是什么，我看网上说有的是3.3V 有的是1.8V拿不准，主要是问一下ESP32-WROVER-E-N4R8这个模组以及ESP32-WROOM-32E-N4R2这个，内部封装的电压要求是什么？我好设置固化一下

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WROOM 用的应该是ESP32-D0WDR2-V3 查到VDD_SDIO是3.3V，现在就不太清楚WROVE-E的VDD_SDIO要求了

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我看手册上的原理图内部MTDI是3.3V上拉，但是手册又说模组是3.3V的闪存，所以R9不上件，也就是默认下拉，但是https://docs.espressif.com/projects/esp-idf/en/latest/esp32/api-reference/peripherals/sd_pullup_requirements.html#mtdi-strapping-pin里又提到说All ESP32-WROVER modules, excluding ESP32-WROVER-B, use 1.8 V flash and have internal pull-ups on GPIO12. 很矛盾，是哪有问题，能解决一下吗